摘要
酸化亜鉛（ZnO）は優れた電子輸送材料として、高性能量子ドット電界発光素子（QLED）に広く使用されています。しかし、ZnO層の高い電荷輸送速度により、素子内に過剰な電子注入が生じ、素子内部のキャリア不均衡を引き起こし、素子の効率を低下させます。さらに、ZnOの易吸湿性により、ZnOと電極間の接触が外部環境（水分および酸素）の影響を受けやすく、素子の保存安定性に影響を与え、これは反転構造のQLEDで特に顕著です。これらの問題を解決するために、我々はMoO3/ZnOを電荷生成層（CGL）として用いて反転構造のQLEDを作製しました。この構造により素子内のキャリア不均衡問題が改善され、最大電流効率が12.8 cd/Aから15.7 cd/Aに向上しました。さらに、CGLは電極からの電荷注入を必要とせず、電界によって電荷を生成し発光層に注入するため、電極界面が素子性能に与える影響を低減し、素子の安定性を大幅に向上させました。
关键词
電荷生成層;電荷蓄積;オーバーシュート;過渡電界発光
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