摘要
一維太陽電池シミュレーションソフトウェアSCAPSを用いて、全無機ペロブスカイト太陽電池における欠陥がデバイス性能に及ぼす影響を研究した。研究結果は、ITO/SnO2/CsPbI3/CuI/Au電池において、CuI/CsPbI3界面およびCsPbI3光活性層の欠陥密度がデバイスの性能に大きな影響を与えることを示している。欠陥密度が増加するにつれて、開放電圧、短絡電流、フィルファクターおよび光電変換効率はすべて低下し、特に欠陥密度が1015 cm-3を超えるとデバイス性能は著しく低下する。反対に、CsPbI3/SnO2界面の欠陥はデバイス性能に顕著な影響を及ぼさない。デバイスの欠陥密度、光活性層の厚さ、およびアクセプターのドープ濃度を最適化することで、全無機ペロブスカイト太陽電池の光電変換効率は20％以上に達することができる。
关键词
ペロブスカイト太陽電池;全無機;欠陥;シミュレーション
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