80 Gb/s高速PAM4変調850 nm垂直共振器面発光レーザー

WANG Yanjing ,  

TONG Cunzhu ,  

LUAN Xiaoqian ,  

JIANG Ning ,  

TONG Haixia ,  

WANG Lijie ,  

TIAN Sicong ,  

MENG Bo ,  

摘要

850 nm酸化物制限型垂直共振器面発光レーザー（VCSEL）の高速直接変調の結果を示す。高い微分利得を得るために最適化されたひずみInGaAs/AlGaAs量子井戸と、表面エッチングによる光子寿命の調整で応答の平坦化を実現した。約7 µmの酸化物開口を持つ試作VCSELは、平坦な周波数特性、3 dB帯域幅24 GHz、相対ノイズ強度-155 dB/Hzを有し、プリエンファシスやイコライゼーション技術を用いずにPAM4変調の80 Gb/sデータ伝送速度に達した。

关键词

垂直共振器面発光レーザー;高速;PAM4変調

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