摘要
ZnOの広帯域半導体紫外線光電検出器は、高い安定性と低コストなど多くの利点を持ち、防衛、医療、環境モニタリングなどの分野で重要な応用展望があります。本稿では、RFマグネトロンスパッタリング技術を用いてSiO2基板上にZnO薄膜を作製し、これを基に高利得を持つ金属⁃半導体⁃金属（MSM）構造のZnO紫外線光電検出器を得ました。10Vのバイアス電圧下で、検出器の応答度と外部量子効率はそれぞれ4.90 A/Wおよび1668%でした。これは光照射時に半導体と金属の界面で正孔捕獲が発生し高利得が生じたためです。さらに、利得効果、印加バイアス、および消耗層幅がZnO紫外線光電検出器の応答度に及ぼす調整規則と影響メカニズムを検討し、高性能紫外線光電検出器の開発と性能調整に重要な参考資料を提供しました。
关键词
ZnO;紫外線光電検出器;応答度;利得効果;消耗層
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