摘要
チップ上集積光源は光通信分野で常に研究の注目点となっています。リン化インジウム（InP）材料は通信波長帯の光源構築に理想的な材料です。本論文では標準的な半導体プロセスを用いてInP基板上に円盤形マイクロキャビティ発光デバイスを作製しました。四種類のサイズの円盤型マイクロキャビティLEDを作製し、サイズがデバイスの性能、光強度、半値幅、中心波長シフトなどのパラメータに与える影響を検討しました。本研究は電気駆動光源の作製および通信波長帯の光通信実現に重要な意義を持ちます。
关键词
リン化インジウム;発光ダイオード;円盤マイクロキャビティ;スペクトル制御
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