AlGaN基深紫外LEDのNiAu透明電極およびその接触特性

WANG Xue ,  

LIU Naixin ,  

WANG Bing ,  

GUO Yanan ,  

ZHANG Xiaona ,  

GUO Kai ,  

LI Yongqiang ,  

ZHANG Tong ,  

YAN Jianchang ,  

LI Jinmin ,  

摘要

p⁃AlGaN表面にNi/Au/Ni/Au透明電極系を堆積し、伝送線路モデルを用いてアニーリング温度がNi/Au/Ni/Auとp⁃AlGaN材料の接触特性に与える影響を研究した。結果は、Ni/Au/Ni/Au金属系を用いたAlGaN基深紫外LEDが、600℃の空気中で3分間アニーリングすることでp型半導体材料であるNiOを形成することを示した。さらにNi/Au/Ni/Au系の金属厚さを最適化し、各層の厚さを20/20/20/20 nmから2/2/5/5 nmに薄くし、600℃の空気中で3分間アニーリングしたところ、p⁃AlGaN材料との接触抵抗率は3.23×10^-1 Ω·cm²から2.58×10^-4 Ω·cm²に低下した。最適化したNi/Au/Ni/Au系を用いた深紫外LED素子は、素子の光電特性が改善された。150 mA駆動時の動作電圧は5.8 Vまで低下し、電極の透過率向上により光出力パワーが18.9%向上した。

关键词

UV-LED;AlGaN;NiAu;オーム接触

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