高ひずみInGaAs/GaAs多重量子井戸に存在する局所状態の問題に対して、金属有機化合物気相成長（MOCVD）技術を用いて、5周期のIn0.3Ga0.7As/GaAs高ひずみ多重量子井戸材料を設計・成長した。原子間力顕微鏡（Atomic force microscope、AFM）および変温光励起蛍光（Photoluminescence、PL）試験により、量子井戸内部に欠陥および組成変動による材料の無秩序性表現が存在することを発見し、多重量子井戸内部の局所状態の存在および起源を検証した。また、異なる試験位置において、局所状態が低温でのスペクトルに与える影響が異なり、それぞれ二峰分布およびピーク位置の“S”字型変化として現れた。これにより、材料内部の無秩序化の程度が異なり、局所状態の深さも異なることがさらに示された。温度⁃バンドギャップ関係のフィッティングに基づき、局所状態を含む多重量子井戸材料のポテンシャル分布を提案し、局所状態キャリアと自由キャリアの再結合メカニズムを明らかにした。また、変パワーPL試験を利用して、異なる励起パワー密度下で異なる深さの局所状態の発光特性を研究した。

InGaAs/GaAs多重量子井戸;局所状態;高ひずみ;金属有機化合物気相成長（MOCVD）