摘要
化学気相成長（CVD）法で作製されたセシウム鉛臭化物ペロブスカイト薄膜は優れた光電特性を有しますが、薄膜には通常CsPbBr3とCsPb2Br5の二つの異なる相構造領域が存在します。本研究では、CVD法によりセシウム鉛臭化物ペロブスカイト薄膜を作製し、X線回折（XRD）、走査型電子顕微鏡（SEM）、エネルギー分散型分析（EDS）、蛍光分光器を用いて反応ガス圧およびN2流量がCsPb2Br5相構造に与える影響を検討しました。実験結果から、反応ガス圧の変化はCsPb2Br5相構造に影響を与えませんでした。一方、N2流量の減少に伴い、薄膜中の一部CsPb2Br5相構造が徐々にCsPbBr3相構造へと変化し、その発光も約630 nmを中心とした広帯域発光から約530 nmを中心とした狭帯域発光へと変化しました。実験により、N2流量がCsPb2Br5相構造および発光特性を制御する有効な手段であることが示されました。
关键词
化学気相成長;セシウム鉛臭化物ペロブスカイト薄膜;CsPb2Br5相構造
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