近年、ペロブスカイト発光ダイオード（PeLEDs）は非常に急速に発展し、その性能は大幅に向上した。量子井戸構造を持つ準二次元ペロブスカイトの構築は、高性能PeLEDsの開発に有効な方法の一つである。大きな有機陽イオンは準二次元ペロブスカイトの形成において重要な構成要素であり、準二次元ペロブスカイトの薄膜構造及び光電特性の調整に重要な役割を果たす。本研究では、セシウム鉛ハライド（CsPbX₃）ペロブスカイトに、2種類の単一フッ素置換された臭化フェニルエチルアミン（o⁃FPEABr（オルト位置換）およびp⁃FPEABr（パラ位置換））を導入し、無反溶媒のワンステップ法により準二次元ペロブスカイト薄膜および発光デバイスを作製し、それらが準二次元ペロブスカイトの相分布およびデバイス性能に与える影響を調査した。研究の結果、p⁃FPEABrは準二次元ペロブスカイトに多くの低次元相、特に強い励起子‐フォノン結合を持つ二次元相を形成させる一方で、高次元相の含有量は少なかった。これに対し、o⁃FPEABrは低次元相を効果的に抑制し、高次元相の形成を促進し、非放射的再結合を低減し放射的再結合を向上させた。形成エネルギーの計算結果は、p⁃FPEABrを基にした低次元相がo⁃FPEABrを基にした低次元相より熱力学的に安定であり、準二次元ペロブスカイトにおける相分布の違いをもたらしていることを示し、フッ素原子の置換位置の変更が準二次元ペロブスカイトの結晶化動力学を調整し、デバイスの発光特性に影響を及ぼすことを示唆している。o⁃FPEABrを基に、高効率の緑色および青色PeLEDsを作製した。緑色デバイスの最大外部量子効率（EQE）は10.27％に達し、発光ピークは521 nmであり、青色デバイスの最大EQEも8.88％に達し、発光ピークは488 nmであった。

準二次元ペロブスカイト;有機陽イオン;フルオロ置換フェニルエチルアミン;発光ダイオード