無機長残光発光材料および光記憶材料の概念、その起源と研究現状について簡単に紹介した。三種類の古典的な市販の長残光発光および光記憶材料について簡単に述べた。これら三種類の市販発光材料を基に、この種の材料の合理的設計に存在する問題を分析し、真空标度エネルギーダイアグラム（Vacuum referred binding energy（VRBE）diagram）に基づいて長残光発光および光記憶材料を設計する戦略を紹介した。まず、真空标度エネルギーダイアグラムの定義とその構築に必要なモデルパラメータおよび実験スペクトルデータを紹介した。希土類イオンがドープされた無機化合物の真空标度エネルギーダイアグラムを基に、2価及び3価のビスマスイオンの真空标度エネルギーレベル位置を説明した。次に、YPO₄モデル材料の真空标度エネルギーダイアグラムに基づき、電子放出モデルと正孔放出モデルの定義と違いを紹介した。最後に、希土類イオンおよびビスマスイオンがドープされたREPO₄（RE＝La，Y，Lu）及びNaYGeO₄ファミリー化合物の真空标度エネルギーダイアグラムを組み合わせて、電子および正孔トラップ中心の設計方法と電子または正孔トラップの深さを調整する方法を簡単に論じた。真空标度エネルギーダイアグラムは、キャリアの捕獲・放出および無機長残光発光および光記憶材料の合理的設計・探索に一定の指針的意義を持つ。

真空标度エネルギーダイアグラム;希土類イオン;Bi³⁺;Bi²⁺;長残光発光;光記憶材料