GaNマイクロアレイ構造に基づく単チップ白色LEDアクティブ領域InGaN/GaN多重量子井戸構造設計

WANG Yong-jia ,  

YANG Xu ,  

LI Jin-chai ,  

HUANG Kai ,  

KANG Jun-yong ,  

摘要

シミュレーションを通じて、二波長積層のc面InGaN/GaN多重量子井戸（MQWs）発光ダイオードのキャリア濃度、自発放射再結合率および分極電場などを研究した。結果は、二波長積層InGaN多重量子井戸の井戸層および障壁層の厚さを調整することで、キャリア、特にホールの量子井戸活性領域内の分布を制御し、二波長発光ピークの比率変調を実現できることを示している。さらに、同じエピタキシャル条件下で成長させた半極性面InGaN/GaN積層量子井戸LEDの発光特性を検討した。これに基づき、c面と｛1011｝または｛1122｝半極性面を混合した多波長積層InGaN/GaN多重量子井戸構造に基づく単チップ白色LED設計案を提案し、c面発光スペクトルの混合スペクトル内比率を調整することで、可視光の大部分をカバーし、色温度は4,500～9,000 Kの調整が可能で、演色指数は最大91.3に達する白色光を得ることができる。

关键词

単チップ白色LED; 半極性面; InGaN; 分極効果

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