自励型光電検出器は、現代の光電デバイスの省エネルギーおよび軽量化の要求を満たすことができますが、複雑なプロセスと高コストがそのさらなる発展を制限しています。本研究では、スピンコーティング法を用いてセレン微細管（Se‐MT）とポリチオフェン（PEDOT）からSe‐MT/PEDOTヘテロ接合を作製しました。該デバイスは350~700 nm波長で良好な光応答を示し、バイアスなしでの感度は8 mA/W（500 nm）でした。光応答性を高めるために、銀ナノワイヤー（Ag‐NW）でヘテロ接合を修飾し、Se‐MT/PEDOT/Ag-NWを作成しました。これにより紫外可視光領域での光吸収が強化され、デバイスの光電性能が向上しました。Se‐MT/PEDOTデバイスと比較して、Se‐MT/PEDOT/Ag‐NWデバイスは350~700 nmの波長範囲で光電流が全体的に増加し、特に0 Vバイアス下の500 nm照射時には感度が65 mA/W（800%増加）に達し、オン/オフ比が400%増加して552となり、立ち上がり時間と立ち下がり時間はそれぞれ15 msと28 msに大幅に短縮されました。この結果は、Ag‐NW修飾有機/無機ヘテロ接合が高性能光電検出器の作製に応用できることを示しています。

ヘテロ接合;銀ナノワイヤー;自己駆動;光電検出器