In_0.49Ga_0.51P材料は、GaAs格子とマッチし、広いエネルギーバンドギャップを持つため、GaAs基板を用いた短波長レーザーやアルミニウムフリーレーザーの研究分野で広く注目されています。異なる分野の応用により、In_0.49Ga_0.51P材料の性能に対する要求が異なり、その結果、In_0.49Ga_0.51P材料の秩序度が変化し、それに伴い発光特性も変化します。本研究では、金属有機化学気相成長法（MOCVD）技術を用いて、半絶縁GaAs基板上でIn_0.49Ga_0.51P材料の秩序度が発光特性に与える影響を調査しました。シラン（SiH₄）およびジエチル亜鉛（DEZn）ドーパントのドーピング流量とV/III比を変えることでIn_0.49Ga_0.51P材料の秩序度を変化させました。室温光励起（PL）および低温PL試験の結果、両ドーパントのドーピング流量の増加がIn_0.49Ga_0.51Pの秩序度を低下させ、それによりInGaPの発光波長がブルーシフトすることが示されました。さらに、V/III比の増加はIn_0.49Ga_0.51Pの秩序度を高め、試料の発光波長をレッドシフトさせました。

金属有機化学気相成長;インジウムガリウムリン/ガリウムヒ素;光励起;意図的ドーピング