Les diodes électroluminescentes à points quantiques pérovskites (Pe QLEDs) sont devenues des candidats très prometteurs pour la technologie d'affichage de prochaine génération. Cependant, leurs performances sont encore limitées par la suppression de la fluorescence des points quantiques (QD) induite par la couche de transport des électrons (ETL), ainsi que par un excès d'injection électronique. Ici, une stratégie d'ingénierie d'interface est proposée en insérant TmPPPyTz (2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)-[1,1'-biphényl]-3-yl)-1,3,5-triazine) entre la couche émissive et la couche de transport électronique BPBiPA (2-phényl-1-(4-(10-(4-(2-phényl-3a,7a-dihydro-1H-benzimidazol-1-yl)phényl)anthracén-9-yl)phényl)-1H-benzimidazole), ce qui permet de supprimer simultanément l'extinction d'interface, de réguler l'équilibre des porteurs et de passiver l'interface de la couche émissive. Une analyse optique et électrique complète a été réalisée, permettant d'optimiser l'appareil avec une efficacité quantique externe (EQE) maximale de 28,1 % et une stabilité d'opération augmentée de 1,7 fois. Ce travail offre une méthode efficace d'ingénierie d'interface pour réaliser des Pe QLEDs efficaces et stables.

Diodes électroluminescentes à points quantiques pérovskites; ingénierie d'interface; extinction de fluorescence