Les réflecteurs de Bragg distribués (DBR) nanoporeux à haute réflectivité basés sur AlGaN sont des candidats idéaux pour la construction de cavités résonantes de haute qualité pour des diodes électroluminescentes à cavité résonante UV (RCLED) et des lasers à émission verticale à cavité résonante (VCSEL). Cet article utilise la méthode de dépôt chimique en phase vapeur organométallique pour préparer une structure empilée de 20,5 cycles de couches n/n⁺-Al₀,₆Ga₀,₄N sur un substrat en saphir orienté c. L'influence de la stratégie de dopage au Si des couches n⁺-Al₀,₆Ga₀,₄N et du biais de gravure électrochimique sur la morphologie et le spectre de réflexion des DBR nanoporeux a été systématiquement étudiée. Par rapport aux schémas de dopage fixes traditionnels, la conception de dopage avec un gradient croissant de concentration en Si peut atténuer les différences de vitesse d'attaque électrochimique des couches n⁺-Al₀,₆Ga₀,₄N, améliorer considérablement la cohérence du diamètre et de la porosité des canaux nanoporeux, et ainsi augmenter la réflectivité des DBR nanoporeux. Lorsque la tension d'attaque électrochimique est optimisée à 33 V, la réflectivité du DBR nanoporeux à base d'Al₀,₆Ga₀,₄N atteint 93,7 % à la longueur d'onde cible de 310 nm avec une largeur de bande interdite de 36 nm; l'intensité de la photoluminescence des puits quantiques multiples est améliorée de 110 %. Ces résultats fourniront une référence importante pour la réalisation d'appareils RCLED et VCSEL injectés électriquement dans la bande ultraviolette.

DBR basé sur AlGaN; gravure électrochimique; dopage en gradient; porosité; spectre de réflexion; largeur de bande interdite