Les dispositifs photoélectriques à monocristaux de pérovskite traditionnels dépendent généralement du polissage mécanique pour obtenir une interface plane, mais ce processus introduit inévitablement des dommages importants au réseau cristallin et des défauts profonds d'énergie, ce qui entraîne une augmentation du courant d'obscurité et du bruit dans les dispositifs photoélectriques, limitant sévèrement leurs performances. Pour remédier à ce problème, cet article propose une stratégie de croissance de cristaux inverse à température assistée par substrat de silicium, utilisant la surface atomiquement plane du silicium pour contrôler la nucléation et la croissance, réussissant à obtenir une croissance contrôlée de monocristaux de pérovskite de haute qualité, obtenant directement une surface native plane sans texture de croissance. Un détecteur photoauto-alimenté a été construit avec des électrodes asymétriques or/argent, et les caractéristiques de réponse photoélectrique sous conditions d'incidence avant et arrière de la lumière visible et des rayons X ont été systématiquement étudiées. Sous une tension de polarisation de 0 V, le courant d'obscurité de l'appareil est aussi bas que 0,0145 nA, avec un rapport d'interruption de 196 fois sous incidence avant de 500 nm, et une sensibilité maximale de 2,44 mA·W^-1. Lorsque l'incidence de lumière est arrière, la sensibilité se transforme en une réponse à bande étroite. Les tests aux rayons X montrent qu'à 0 V de polarisation, la sensibilité de détection des rayons X atteint 3487 μC·Gy_air^-1·cm^-2, avec une limite de détection aussi basse que 21,99 nGy_air·s^-1. Cette étude offre une voie simple sans polissage pour la construction d'interfaces monocristallines de pérovskite de haute qualité et une nouvelle approche technique pour développer des détecteurs photoélectriques monocristallins de pérovskite ultra-sensibles et à faible coût.

Monocristal de pérovskite; croissance de monocristal; détecteur photoélectrique; détection aux rayons X