Avec le développement des systèmes optoélectroniques intelligents vers des fonctionnalités multispectrales, économes en énergie, miniaturisées et multifonctionnelles, la plage de réponse spectrale limitée des détecteurs optoélectroniques traditionnels ne satisfait plus les exigences avancées de détection. Le développement de détecteurs à large spectre performants est devenu un défi majeur. Pour surmonter cette limitation, cette étude conçoit et fabrique un nouveau détecteur optoélectronique à large spectre basé sur une structure en sandwich β-Ga₂O₃/Au/MAPbI₃. L’appareil utilise l’or comme électrode intermédiaire et β-Ga₂O₃ et MAPbI₃ comme matériaux d’absorption respectivement en couches supérieure et inférieure, formant une jonction hétérostructurée empilée en trois couches, réalisant une détection efficace de l’ultraviolet au proche infrarouge (200~800 nm). Sous une tension de polarisation de 6 V, le détecteur atteint une réactivité maximale de 0,050 A·W⁻¹ à 240 nm et 0,059 A·W⁻¹ à 750 nm, tout en montrant une réponse rapide à l’échelle de la microseconde. De plus, la structure en sandwich unique confère à l’appareil une capacité de détection à large spectre auto-alimentée, offrant une solution efficace pour le développement de détecteurs optoélectroniques de prochaine génération haute performance et à faible consommation d’énergie.

Détecteur optoélectronique;structure sandwich;détection à large spectre