Avec le développement des systèmes optoélectroniques intelligents vers le multispectral, l'économie d'énergie, la miniaturisation et la multifonctionnalité, la portée spectrale limitée des détecteurs optoélectroniques traditionnels ne satisfait plus leurs besoins avancés en détection. Le développement de détecteurs à large spectre haute performance est devenu un défi majeur. Pour surmonter cette limitation, cette étude a conçu et fabriqué un nouveau détecteur optoélectronique à large spectre basé sur une structure sandwich β-Ga₂O₃/Au/MAPbI₃. Cet appareil utilise l'or comme électrode intermédiaire, et β-Ga₂O₃ et MAPbI₃ comme matériaux absorbants supérieurs et inférieurs respectivement, formant une jonction hétéroempilée à trois couches pour réaliser une détection efficace à large spectre de l'ultraviolet au proche infrarouge (200-800 nm). Sous une tension de polarisation de 6 V, l'appareil atteint une réactivité maximale de 0,050 A W^-1 à 240 nm et 0,059 A W^-1 à 750 nm, tout en affichant une réponse rapide à l'échelle des microsecondes. De plus, la structure sandwich unique confère à l'appareil une capacité de détection large spectre auto-alimentée, offrant une solution efficace pour le développement de détecteurs optoélectroniques de nouvelle génération, performants et à faible consommation.

Détecteur optoélectronique;structure sandwich;détection large spectre