Avec le développement des systèmes optoélectroniques intelligents vers la multispectralité, l'économie d'énergie, la miniaturisation et la multifonctionnalité, la plage de réponse spectrale limitée des détecteurs optoélectroniques traditionnels ne suffit plus à répondre aux exigences avancées de détection. Le développement de détecteurs à large spectre haute performance est devenu un défi important. Pour surmonter cette limitation, cette étude a conçu et fabriqué un nouveau détecteur optoélectronique à large spectre basé sur une structure sandwich β-Ga₂O₃/Au/MAPbI₃. L'appareil utilise l'or comme électrode intermédiaire, et β-Ga₂O₃ et MAPbI₃ comme matériaux d'absorption respectivement pour les couches supérieure et inférieure, constituant une jonction hétérostructure en trois couches empilées, réalisant une détection efficace à large spectre de l'ultraviolet au proche infrarouge (200-800 nm). Sous une polarisation de 6 V, la réactivité maximale de l'appareil à 240 nm et 750 nm atteint respectivement 0,050 A W^-1 et 0,059 A W^-1, présentant en même temps des caractéristiques de réponse rapide à l'échelle de la microseconde. De plus, la structure sandwich unique confère à l'appareil une capacité de détection à large spectre auto-alimentée, offrant une solution efficace pour le développement de détecteurs optoélectroniques de nouvelle génération à haute performance et faible consommation d'énergie.

Détecteur optoélectronique;Structure sandwich;Détection à large spectre