Les diodes électroluminescentes à points quantiques (Quantum dot light-emitting diodes, QLEDs) sont des candidats puissants pour la prochaine génération de technologies d’affichage grâce à leur haute pureté des couleurs, leur faible consommation d’énergie et leur bonne processabilité en solution. Cependant, en mode de fonctionnement en courant continu traditionnel, les dispositifs QLED font face à des déséquilibres d’injection de porteurs entraînant une recombinaison non radiative importante, une dégradation de l’efficacité et une stabilité insuffisante, limitant leur application dans le domaine de l’affichage. Par conséquent, cet article propose une structure de dispositif QLED à trois terminaux basée sur la modulation du champ électrique alternatif, optimisant l’équilibre des porteurs via une modulation dynamique du champ électrique, améliorant significativement les performances du dispositif. Par rapport aux dispositifs QLED traditionnels, l’efficacité quantique externe du dispositif QLED à trois terminaux est passée de 7,5 % à 18,3 %, tandis que la luminance est passée de 6842 cd/m² à 10374 cd/m², soit des améliorations respectives de 143,7 % et 51,6 %. Les résultats expérimentaux montrent que les dispositifs QLED à trois terminaux utilisent une modulation synergique de la forme d’onde, de la tension et de la fréquence du courant alternatif, permettant un contrôle précis de la mobilité électronique et une suppression efficace de la recombinaison non radiative. Cette approche résout non seulement le problème technique de déséquilibre de la mobilité électron-trou dans les QLED traditionnels, mais offre également une nouvelle voie technique pour la conception de dispositifs QLED hautes performances, promettant de favoriser une large application des QLED dans le domaine de l’affichage.

diode électroluminescente à points quantiques;dispositif à trois terminaux;modulation du champ électrique alternatif;injection de porteurs;efficacité quantique externe