Les diodes électroluminescentes à points quantiques (Quantum Light-emitting Diodes, QLED) représentent de sérieux concurrents pour les technologies d’affichage de nouvelle génération grâce à leur haute pureté des couleurs, leur faible consommation d’énergie et leur bonne aptitude au traitement par solution. Cependant, dans le mode de conduite en courant continu traditionnel, les dispositifs QLED rencontrent des problèmes tels que le déséquilibre d’injection des porteurs de charge entraînant une recombinaison non radiative importante, une dégradation de l’efficacité et une stabilité insuffisante, limitant leur application dans le domaine de l’affichage. Par conséquent, cet article propose une structure de dispositif QLED à trois terminaux basée sur la modulation par champ électrique alternatif, qui optimise dynamiquement l’équilibre des porteurs par modulation du champ électrique, améliorant ainsi significativement les performances du dispositif. Par rapport aux dispositifs QLED traditionnels, l’efficacité quantique externe du dispositif QLED à trois terminaux est passée de 7,5 % à 18,3 %, et la luminance a augmenté de 6842 cd/m² à 10374 cd/m², soit des augmentations respectives de 143,7 % et 51,6 %. Les résultats expérimentaux montrent que le dispositif QLED à trois terminaux utilise une modulation synergique de la forme d’onde, de la tension et de la fréquence du champ alternatif pour contrôler avec précision la mobilité des électrons, réduisant efficacement la recombinaison non radiative. Cette approche résout non seulement le problème technique du déséquilibre des mobilités électron-trou dans les QLED traditionnels, mais offre également une nouvelle voie technique pour la conception de dispositifs QLED haute performance, promettant de favoriser une large application des QLED dans le domaine de l’affichage.

diodes électroluminescentes à points quantiques; dispositifs à trois terminaux; contrôle par champ électrique alternatif; injection de porteurs; efficacité quantique externe