Cet article propose un modèle de circuit pour une diode électroluminescente à puits quantique simple InGaN/GaN basé sur les équations de taux standards. Le modèle décrit, à l'aide de deux équations de taux, le transport des porteurs dans l'hétérojonction isolante et le puits quantique, tandis qu'une troisième équation décrit les caractéristiques dynamiques des photons dans le puits quantique. À l'aide du modèle établi, nous avons étudié systématiquement l'effet de l'épaisseur du puits quantique sur les caractéristiques statiques et dynamiques du dispositif. Les résultats de simulation montrent que la LED avec un puits quantique de 4 nanomètres présente de meilleures caractéristiques puissance lumineuse-courant, tandis que la LED avec un puits quantique de 3 nanomètres possède une bande passante de modulation 3 dB plus large, ce qui révèle également qu'une haute densité de porteurs dans le puits quantique, bien qu'elle soit défavorable aux performances statiques, peut améliorer efficacement les performances dynamiques.

Puits quantique simple; équations de taux; modèle de circuit; caractéristiques puissance lumineuse-courant; bande passante de modulation