Les diodes électroluminescentes à points quantiques (QLED) représentent une direction importante pour les technologies d’affichage de nouvelle génération, utilisant généralement de l’oxyde de zinc (ZnO) comme couche de transport électronique (ETL). Cependant, la mobilité électronique trop élevée du ZnO entraîne un déséquilibre d’injection des porteurs dans la couche d’émission (EML), et des défauts tels que les lacunes d’oxygène à la surface provoquent une recombinaison non radiative. Cette étude introduit de manière innovante le nitrure de bore hexagonal (h-BN), un matériau bidimensionnel typique, pour construire une couche de barrière électronique à l’interface entre l’EML et le ZnO. Les résultats expérimentaux montrent que l’intégration de h-BN améliore efficacement l’équilibre des porteurs à l’intérieur du dispositif, tout en supprimant notablement la quenching de l’émission causée par les défauts du ZnO. Après modification de l’interface avec h-BN, l’efficacité quantique externe (EQE) et l’efficacité de courant (CE) des dispositifs QLED atteignent respectivement 17,31 % et 18,80 cd/A, représentant une amélioration de 12,4 % et 7,43 % par rapport à l’appareil témoin. Cette recherche révèle non seulement la valeur innovante de l’application des matériaux bidimensionnels dans les dispositifs QLED, mais offre également de nouvelles perspectives pour leur développement approfondi dans le domaine des technologies d’affichage.

QLED; nitrure de bore hexagonal; couche barrière électronique; équilibre d’injection des porteurs; modification d’interface