Les diodes électroluminescentes à base de points quantiques (QLED), en tant que direction importante de la nouvelle technologie d'affichage, utilisent généralement l'oxyde de zinc (ZnO) comme couche de transport électronique (ETL). Cependant, la mobilité excessive des électrons du ZnO peut entraîner un déséquilibre de l'injection de porteurs dans la couche d'émission lumineuse d'excitons (EML), tandis que les défauts de surface ZnO tels que les lacunes d'oxygène peuvent provoquer une recombinaison non radioactive. Cette étude introduit de manière innovante le nitrure de bore hexagonal (h-BN) en tant que matériau bidimensionnel typique pour construire une couche de blocage des électrons entre EML et ZnO. Les résultats des expériences montrent que l'introduction de h-BN améliore efficacement l'équilibre des porteurs à l'intérieur du dispositif et inhibe considérablement l'extinction lumineuse causée par les défauts de ZnO. Après la modification de l'interface h-BN, l'efficacité quantique externe (EQE) et l'efficacité du courant (CE) du dispositif QLED atteignent respectivement 17,31 % et 18,80 cd/A, ce qui représente une augmentation de 12,4 % et 7,43 % par rapport au dispositif de référence. Cette étude révèle non seulement la valeur d'application innovante des matériaux bidimensionnels dans les dispositifs QLED, mais fournit également de nouvelles pistes de recherche pour leur développement approfondi dans le domaine de la technologie d'affichage.

QLED; nitrure de bore hexagonal; couche de blocage des électrons; équilibre d'injection de porteurs; modification d'interface