Les semi-conducteurs bidimensionnels présentent une épaisseur limite à un niveau atomique et des caractéristiques d'intégration Van der Waals, l'émission lumineuse à température ambiante étant dominée par les excitons, ce qui en fait des matériaux de pointe pour la recherche sur les dispositifs micro-nano optoélectroniques. Parmi eux, les dispositifs d'émission d'excitons excités électriquement sont essentiels pour étudier leur physique d'émission novatrice et promouvoir l'intégration des dispositifs micro-nano optoélectroniques. Actuellement, les dispositifs d'émission d'excitons bidimensionnels se concentrent principalement sur la bande de lumière visible, la construction de dispositifs électroluminescents dans la bande de communication proche infrarouge demeure un défi. Cette étude se base sur les propriétés de fluorescence proche infrarouge des excitons du phosphore noir bi- et tri-couches, utilise un champ électrique transversal pour réguler leur émission d'excitons, et construit en outre un dispositif d'émission proche infrarouge non injectif stimulé par champ électrique, fonctionnant autour de 1150 nm et 1500 nm. Le dispositif d'émission électrique proche infrarouge construit avec des excitons de phosphore noir en couches fines étend la bande des dispositifs électroluminescents à base de matériaux bidimensionnels, fournissant de nouveaux matériaux et voies pour les dispositifs micro-nano émetteurs proche infrarouge.

matériaux bidimensionnels; phosphore noir; excitons; proche infrarouge; diode électroluminescente