Les ions de terres rares possèdent des niveaux d'émission riches, ils peuvent être dopés en tant que centre d'émission dans les matériaux ferroélectriques, et utiliser la polarisation ferroélectrique pour régler dynamiquement la longueur d'onde et l'intensité d'émission des ions de terres rares, ce qui améliorera considérablement les performances des dispositifs optoélectroniques à semi-conducteurs. AlScN offre de nouvelles opportunités pour construire de nouveaux dispositifs émetteurs multifonctionnels avec une polarisation résiduelle élevée, une largeur de bande interdite élevée et une compatibilité élevée avec la technologie CMOS. Dans cette étude, l'effet du dopage en erbium (Er³⁺) sur l'émission et les propriétés ferroélectriques des films AlScN a été étudié, où une augmentation de la concentration de dopage augmente le nombre de centres d'émission, avec une augmentation de l'intensité du pic d'émission de l'erbium (Er³⁺) dans la concentration de 3,6% à 9,4%, mais un effet d'extinction, causé par une concentration de plus de 10%, entraînera une diminution de l'émission. Le dopage en erbium (Er³⁺) entraîne une légère détérioration des propriétés de l'AlScN, mais à une concentration de 9,4%, une polarisation résiduelle de plus de 80 μC/cm² est toujours maintenue, montrant la coexistence de l'émission et d'une forte polarisation ferroélectrique, ouvrant la voie à la conception de nouveaux dispositifs émetteurs multifonctionnels hautement intégrés sur ce matériau ferroélectrique.

AlScN;Er³⁺;photoluminescence;robust ferroelectric performance