Actuellement, les diodes électroluminescentes à points quantiques (Quantum dot light-emitting diode, QLED) à haute résolution fabriquées via diverses techniques de patternage de points quantiques rencontrent généralement un problème d’efficacité faible, principalement dû à un courant de fuite important entre les pixels. Pour résoudre ce problème, cet article utilise la technique d’empreinte nanométrique pour préparer un film en nid d’abeilles de poly(méthacrylate de méthyle) (Poly(methyl methacrylate), PMMA), qui est utilisé comme couche de blocage des charges dans la couche émissive des QLED, obtenant avec succès un dispositif QLED rouge avec une résolution de 8467 pixels par pouce (Pixel per inch, PPI). Grâce aux bonnes propriétés isolantes du PMMA, la couche de blocage des charges a réussi à isoler le contact direct entre la couche de transport d’électrons et la couche de transport de trous, réduisant considérablement le courant de fuite par rapport aux dispositifs sans couche de blocage, ce qui a permis une amélioration notable de l’efficacité quantique externe (External quantum efficiency, EQE), atteignant un maximum de 15,31 %, avec une luminosité maximale de 100274 cd/m².

Diode électroluminescente à points quantiques (QLED); empreinte nanométrique; haute résolution; couche de blocage des charges