Actuellement, les diodes électroluminescentes à points quantiques (Quantum dot light-emitting diode, QLED) à haute résolution fabriquées par diverses techniques de microstructuration des points quantiques sont généralement confrontées à un problème d'efficacité faible, principalement en raison d'un courant de fuite important entre les pixels. Pour résoudre ce problème, cet article utilise la technologie d'impression nano pour fabriquer un film en polyméthacrylate de méthyle (Poly(methyl methacrylate), PMMA) en forme de nid d'abeille, qui est appliqué comme couche de blocage des charges dans la couche émissive de QLED, obtenant avec succès un dispositif QLED rouge avec une résolution de 8467 pixels par pouce (Pixel per inch, PPI). Grâce à la bonne isolation du PMMA, la couche de blocage des charges a réussi à séparer le contact direct entre la couche de transport d'électrons et la couche de transport de trous, réduisant considérablement le courant de fuite par rapport aux dispositifs microstructurés sans couche de blocage, ce qui a permis d'améliorer considérablement l'efficacité quantique externe (External quantum efficiency, EQE) du dispositif préparé, avec un EQE maximum atteignant 15,31% et une luminance maximale de 100274 cd/m².

Diodes électroluminescentes à points quantiques (QLED); impression nano; haute résolution; couche de blocage des charges