Les caractéristiques de collecte des électrons des cellules solaires à pérovskite (PSCs) sont l’un des facteurs clés qui influencent les performances des dispositifs. L’oxyde d’étain (SnO₂) préparé par dépôt en bain chimique est un matériau courant pour la couche de transport d’électrons des PSCs, mais sa surface présente souvent de nombreux défauts de lacunes d’oxygène, causant des pertes de recombinaison non radiative à l’interface enfouie SnO₂/pérovskite. Cet article utilise une passivation double moléculaire à base de tétrachlorure d’étain (SnCl₄) et de chromate d’ammonium ((NH₄)₂CrO₄) pour la fabrication d’une interface enfouie des PSCs, permettant de préparer avec succès un dispositif atteignant un rendement de conversion photon-électron de 23,71 %. Après hydrolyse de SnCl₄, de petites particules de SnO₂ se forment sur le film de SnO₂, créant une structure de surface plane ; (NH₄)₂CrO₄, en tant qu’agent oxydant, génère une couche ultrafine de semi-conducteur de type p Cr₂O₃, qui forme une jonction p-n avec le SnO₂, compensant les lacunes d’oxygène excédentaires sur la surface de SnO₂, réduisant la recombinaison non radiative à l’interface enfouie et améliorant l’efficacité de collecte des charges. En même temps, la taille des grains du film pérovskite fabriqué sur le SnO₂ doublement passivé augmente et la densité des défauts diminue.

Cellule solaire à pérovskite;Oxyde d’étain;Défauts;Passivation double moléculaire