Passivation double moléculaire de l’interface enfouie pour la fabrication de cellules solaires à pérovskite efficaces

WEN Chao ,  

CHEN Qianyu ,  

LU Yingjie ,  

LIU Jiapeng ,  

YAO Guangping ,  

WANG Lidan ,  

SU Zisheng ,  

摘要

Les caractéristiques de collecte des électrons des cellules solaires à pérovskite (PSCs) sont l’un des facteurs clés affectant la performance des dispositifs. L’oxyde d’étain (SnO2) préparé par dépôt en bain chimique est un matériau courant pour la couche de transport des électrons dans les PSCs, mais sa surface présente souvent de nombreuses lacunes en oxygène, causant des pertes par recombinaison non radiative à l’interface enfouie SnO2/pérovskite. Cet article utilise une double passivation moléculaire avec le tétrachlorure d’étain (SnCl4) et le chromate d’ammonium ((NH4)2CrO4) à l’interface enfouie des PSCs, permettant la fabrication d’un dispositif avec un rendement de conversion photoélectrique de 23,71 %. Après hydrolyse de SnCl4, de petites particules de SnO2 se forment sur le film de SnO2, créant une surface lisse ; (NH4)2CrO4, en tant qu’agent oxydant, génère une couche ultra-fine de semi-conducteur de type p Cr2O3 qui forme une jonction p-n avec le SnO2, compensant les lacunes d’oxygène excédentaires à la surface du SnO2, réduisant la recombinaison non radiative à l’interface enfouie et améliorant l’efficacité d’extraction de charge. Par ailleurs, la taille des grains du film de pérovskite préparé sur le SnO2 à double passivation moléculaire augmente et la densité des défauts diminue.

关键词

cellules solaires à pérovskite;oxyde d’étain;défauts;passivation double moléculaire

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