Les caractéristiques de collecte électronique des cellules solaires pérovskites (PSCs) sont l'un des facteurs clés influençant la performance des dispositifs. L'oxyde d'étain (SnO₂) préparé par dépôt chimique en bain est un matériau courant pour la couche de transport électronique dans les PSCs, cependant, sa surface présente souvent de nombreuses lacunes en oxygène, entraînant des pertes de recombinaison non radiatives à l'interface enterrée SnO₂/pérovskite. Dans cet article, nous utilisons une passivation bimoléculaire avec du chlorure d'étain (SnCl₄) et du chromate d'ammonium ((NH₄)₂CrO₄) à l'interface enterrée des PSCs, obtenant un dispositif avec une efficacité de conversion photoélectrique atteignant 23,71%. Après hydrolyse de SnCl₄, de petites particules de SnO₂ se forment sur le film SnO₂, créant une surface lisse ; (NH₄)₂CrO₄, en tant qu'agent oxydant, génère une couche ultras mince de semi-conducteur de type p Cr₂O₃ formant une jonction p-n avec SnO₂, compensant les excès de lacunes en oxygène à la surface de SnO₂, réduisant la recombinaison non radiative à l'interface enterrée, et améliorant l'efficacité d'extraction de charge. Par ailleurs, la taille des grains du film pérovskite préparé sur le SnO₂ bi-passivé augmente et la densité de défauts diminue.

cellules solaires pérovskites; oxyde d'étain; défauts; passivation bimoléculaire