Les caractéristiques de collecte des électrons dans les cellules solaires à pérovskite (PSCs) sont l’un des facteurs clés influençant la performance des dispositifs. L’oxyde d’étain (SnO₂) préparé par dépôt en bain chimique est un matériau courant pour la couche de transport électronique des PSCs, mais sa surface présente souvent de nombreux défauts de lacunes en oxygène, entraînant des pertes de recombinaison non radiatives à l’interface enfouie SnO₂/pérovskite. Cet article utilise une double passivation molecularisée avec du chlorure d’étain (SnCl₄) et du chromate d’ammonium ((NH₄)₂CrO₄) pour passiver l’interface enfouie des PSCs et a réussi à préparer un dispositif atteignant une efficacité de conversion photoélectrique de 23,71%. Après hydrolyse du SnCl₄, de petites particules de SnO₂ se forment sur le film de SnO₂, créant une structure de surface lisse ; le (NH₄)₂CrO₄, en tant qu’agent oxydant, génère une ultra-fine couche semi-conductrice de type p Cr₂O₃, formant une jonction p-n avec le SnO₂, compensant les lacunes en oxygène excédentaires à la surface du SnO₂, réduisant la recombinaison non radiative à l’interface enfouie et améliorant l’efficacité de collecte des charges. Par ailleurs, la taille des grains du film pérovskite fabriqué sur le SnO₂ doublement passivé augmente tandis que la densité des défauts diminue.

cellules solaires à pérovskite; oxyde d’étain; défauts; double passivation moléculaire