Basé sur les matériaux de nitrure de groupe III, l'affichage Micro LED nécessite un LED rouge InGaN haute performance. Ce travail utilise un ingénierie de polarisation pour construire un InGaN graduel en tant que dernière barrière quantique (LQB) dans le LED rouge InGaN. La modélisation numérique montre que le champ électrique de polarisation opposée dans le LED à base de nitrure peut renforcer efficacement la capacité de confinement quantique des porteurs et réduire la tension de seuil du dispositif. Ce qui est important, c'est que dans le LED à base de nitrure, la couche LQB graduée en composition InGaN et l'interface avec p-GaN formeront simultanément des puits de potentiel électronique et trous, ce qui donnera un rayonnement lumineux efficace pour le LED rouge InGaN, améliorant ainsi ses performances lumineuses. Ce travail ouvre de nouvelles pistes pour la conception de structures de LED rouge InGaN et la fabrication de dispositifs efficaces.

InGaN; ingénierie de polarisation; LED rouge