Le ZnO est un matériau semi-conducteur typique de troisième génération, avec une large bande interdite de 3,37 eV. Le ZnO intrinsèque est un semi-conducteur de type n, et la technique de dopage par donneurs permet d'améliorer considérablement ses propriétés de conduction de type n. Les films minces transparents et conducteurs à base de ZnO présentent des avantages tels que la richesse des matières premières, la diversité des méthodes de préparation et la possibilité de croissance à température ambiante. Ils peuvent être appliqués dans de nombreux domaines tels que la photonique, la détection et la conversion photothermique. Parmi eux, le ZnO dopé à l'Al (AZO) est un oxyde conducteur transparent typique (TCO) qui suscite un grand intérêt. Cet article présente une revue des avancées récentes sur les films minces transparents conducteurs à base de ZnO, en prenant les films AZO comme principal exemple, incluant les films minces ZnO dopés en monocouche, les films minces multicouches à base de ZnO, les films flexibles à base de ZnO et leurs propriétés physico-chimiques; il se concentre sur la mobilité, la largeur de bande interdite, la transmittance/absorbance/réflectance et leurs propriétés optoélectroniques ainsi que leurs relations intrinsèques; il détaille les applications des films ZnO transparents conducteurs dans les LED, les cellules solaires, les capteurs, le chauffage semi-conducteur; enfin, il envisage les défis existants et les tendances futures.

oxyde de zinc; films transparents conducteurs; dopage donneur; AZO; propriétés optoélectroniques