L'énergie de liaison des excitons de ZnO atteignant jusqu'à 60 meV permet à ses excitons de rester stables à température ambiante voire à des températures plus élevées, ce qui permet aux dispositifs à polaritons exciton-photon basés sur des microcavités à fort couplage de ZnO de dépasser les limitations expérimentales des semi-conducteurs traditionnels à basse température, faisant de ce matériau un favori des chercheurs en polaritons exciton-photon ces dix dernières années. Cet article présente les principales structures de microcavités semiconductrices à base de ZnO, en se concentrant sur les phénomènes liés aux microcavités à fort couplage et aux polaritons exciton-photon récemment rapportés, incluant le laser à polaritons, la diffusion paramétrique et le contrôle des états quantiques, et enfin propose des perspectives pour les recherches futures.

oxyde de zinc;polaritons exciton-photon;microcavité optique;condensat de Bose-Einstein