L'énergie de liaison excitonique allant jusqu'à 60 meV dans ZnO permet la stabilité de l'énergie excitonique à température ambiante voire supérieure, ce qui permet aux dispositifs de polaritons excitioniques basés sur des microcavités à couplage fort de ZnO de dépasser les limitations des conditions expérimentales à basse température des semi-conducteurs traditionnels, faisant de ce matériau l'objet de prédilection des recherches sur les polaritons excitoniques depuis une décennie. Cet article présente les principales structures de microcavités semi-conductrices de ZnO et se concentre sur les phénomènes récents rapportés concernant les microcavités à couplage fort de ZnO et les polaritons excitioniques, incluant les lasers à polaritons, la diffusion paramétrique ainsi que les propriétés de contrôle d’états quantiques, pour terminer par une prospective sur les directions futures de recherche.

oxyde de zinc; polaritons excitioniques; microcavités optiques; condensation de Bose-Einstein