Dans le but d'étudier l'impact de la couche d'insertion GaAs sur les performances d'émission des matériaux de boîte quantique InGaAs dans la plage de longueurs d'onde de 905 nm, des matériaux de boîte quantique InGaAs dans la plage de longueur d'onde de 905 nm ont été préparés en utilisant la technique de dépôt chimique des composés organométalliques (MOCVD) basée sur des matériaux de boîte quantique InGaAs/InAlGaAs et InGaAs/AlGaAs. Les tests AFM et XRD ont révélé que la couche d'insertion GaAs peut optimiser la rugosité de surface et la qualité cristalline des deux matériaux. Les tests PL à température ambiante ont en outre montré que la couche d'insertion GaAs peut améliorer la structure de bande des deux matériaux, renforçant ainsi l'effet d'émission. Les tests PL à température variable et à puissance variable ont montré que la longueur d'onde d'émission des matériaux InGaAs/InAlGaAs varie en S avec l'augmentation de la température, la valeur caractéristique α < 1, le mécanisme de recombinaison de rayonnement à basse température passe de l'émission de recombattement d'excitons libres à une émission de niveaux localisés. En ce qui concerne les matériaux InGaAs/AlGaAs, la couche d'insertion GaAs n'a pas modifié leur mécanisme de recombinaison. Cette étude présente un intérêt certain pour l'étude de l'impact de la couche d'insertion GaAs sur les performances optiques et le mécanisme de recombinaison des porteurs dans les matériaux de boîte quantique InGaAs/InAlGaAs et InGaAs/AlGaAs.

Boîte quantique, couche d'insertion GaAs, état localisé, dépôt chimique des composés organométalliques (MOCVD)