Les matériaux pérovskites, grâce à leur bande interdite ajustable, leur coefficient d’absorption lumineux élevé et leur faible énergie de liaison des excitons, se distinguent dans les domaines photovoltaïque à semi-conducteurs et de détection photoélectrique. Les pérovskites à base de plomb universelles absorbent généralement dans la région UV à visible, tandis que les pérovskites pures à base d’étain ou mixtes étain-plomb à bande étroite restent limitées à un spectre d’absorption proche infrarouge jusqu’à environ 1060 nm, ce qui restreint leurs applications futures dans des scénarios complexes de détection et d’imagerie. La combinaison de pérovskites avec des semi-conducteurs à bande étroite pour construire des hétérojonctions composites « pérovskite/semiconducteur » peut étendre davantage la gamme spectrale et améliorer l’efficacité d’absorption. Cette revue résume les progrès des détecteurs photoélectriques à large bande basés sur les pérovskites en termes d’optimisation de la performance de détection, des excellentes propriétés des matériaux individuels, de l’ingénierie de sélection des matériaux composites, et discute des avancées et applications futures des détecteurs à large bande dans la réponse spectrale, l’intégration des pixels, le développement de dispositifs flexibles et la stabilité. Cette revue contribuera à promouvoir la recherche sur les détecteurs photoélectriques à large bande basés sur les pérovskites et leurs futures applications en imagerie.

Pérovskite;Détecteur photoélectrique infrarouge;Détecteur photoélectrique à large bande;Points quantiques;Hétérojonction