Pour améliorer l'efficacité d'injection des trous dans les LED multi-puits quantiques à base de GaN, une structure épitaxiale à puits quantiques multiples avec différentes couches barrières finales a été conçue et fabriquée en tant que puce LED mini-LED verte. L'étude des mécanismes de transport des porteurs a été menée à l'aide de spectres d'électroluminescence à basse température et de tests caractéristiques courant-tension. Les résultats montrent que dans les échantillons avec une couche barrière finale en AlGaN ou GaN/AlN, davantage de porteurs peuvent atteindre les puits profonds, augmentant ainsi l'efficacité d'injection des trous. Cet article explore les mécanismes de transport des porteurs et le rôle des défauts en V dans ce phénomène, révélant que cette amélioration provient principalement de l'augmentation de la proportion d'injection de trous via les trous en V. Les expériences ont également montré qu'une proportion excessive d'injection par les trous en V augmente le taux de recombinaison non radiative, ce qui réduit l'efficacité de conversion électroluminescente des échantillons avec couche barrière finale AlGaN.

diode électroluminescente; couche barrière finale; injection de trous; puits quantiques multiples InGaN/GaN; puits en V