Propriétés d'émission proche infrarouge de Li(Sc, M)Si2O6∶Cr3+M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+

LU Ziwei ,  

LIU Yongfu ,  

LUO Zhaohua ,  

SUN Peng ,  

JIANG Jun ,  

摘要

Les diodes électroluminescentes à conversion fluorescente proche infrarouge (NIR pc⁃LED) présentent les avantages d'une petite taille, d'une large bande spectrale et d'une longueur d'onde de pic facilement réglable. Elles représentent une avancée dans le développement des sources lumineuses NIR de nouvelle génération, avec comme clé le développement de phosphores larges bandes et efficaces, activés efficacement par la lumière bleue. Le matériau fluorescent LiScSi2O6∶Cr3+ a une longueur d'excitation de 460 nm, un pic d'émission à 845 nm, une largeur de bande spectrale de 156 nm et un rendement quantique interne de 64,4 %. Basé sur ce système, cet article régule ses performances par substitution de l'ion Sc3+ par les ions M (M = Ga3+, Lu3+, Y3+, Gd3+). Les résultats montrent que l'introduction des ions M favorise la formation d'hétérophases ou des transitions de phase, ce qui réduit les performances d'émission du matériau. Cette étude analyse le processus de régulation à partir de la structure cristalline.

关键词

LiScSi2O6∶Cr3+; substitution cationique; structure cristalline

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