L’oxyde de zinc (ZnO), en tant que matériau de transport électronique de qualité supérieure, est largement utilisé dans les dispositifs électroluminescents à points quantiques (QLED) haute performance. Cependant, en raison du taux de transport de charge élevé de la couche ZnO, un excès d’électrons est injecté dans le dispositif, ce qui entraîne un déséquilibre des porteurs de charge à l’intérieur du dispositif et réduit son efficacité. De plus, la nature hydrophile de ZnO rend le contact entre la couche ZnO et l’électrode sensible aux influences de l’environnement extérieur (humidité et oxygène), affectant ainsi la stabilité de stockage du dispositif, ce qui est particulièrement évident dans les QLED à structure inversée. Pour résoudre ces problèmes, nous avons utilisé MoO₃/ZnO en tant que couche de génération de charge (CGL) pour fabriquer des QLED à structure inversée. Cette structure a amélioré le déséquilibre des porteurs de charge dans le dispositif, augmentant l’efficacité maximale du courant de 12,8 cd/A à 15,7 cd/A. De plus, la CGL ne nécessite pas l’injection de charge depuis l’électrode, mais génère la charge sous l’effet du champ électrique et l’injecte dans la couche émissive, réduisant ainsi l’impact de l’interface électrode sur la performance du dispositif et améliorant considérablement sa stabilité.

couche de génération de charge; stockage de charge; dépassement; électroluminescence transitoire