Le détecteur photoélectrique ultraviolet à base de semi-conducteur à large bande interdite ZnO présente une grande stabilité et un faible coût, avec d'importantes perspectives d'application dans les domaines de la défense, de la médecine et de la surveillance de l'environnement. Cet article utilise la technologie de pulvérisation magnétron radiofréquence pour déposer un film ZnO sur un substrat SiO₂. Sur cette base, un détecteur photoélectrique ultraviolet ZnO à structure métal⁃semi-conducteur⁃métal (MSM) à gain élevé a été obtenu. Sous une tension de polarisation de 10 V, la responsivité et l'efficacité quantique externe du détecteur sont respectivement de 4,90 A/W et 1668%. Cela est dû à la capture des trous à l'interface semi-conducteur-métal sous illumination, ce qui génère un gain élevé. De plus, l'étude a porté sur les régulations et les mécanismes d'influence de l'effet de gain, de la tension de polarisation appliquée et de la largeur de la couche d'appauvrissement sur la responsivité du détecteur photoélectrique ultraviolet ZnO, fournissant une référence importante pour le développement et la régulation des performances des détecteurs photoélectriques ultraviolets haute performance.

ZnO; détecteur photoélectrique UV; responsivité; effet de gain; couche d'appauvrissement