Les détecteurs UV aveugles au jour présentent de vastes perspectives d'application dans les domaines de la défense et civils. Les détecteurs UV aveugles au jour basés sur des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite possèdent des caractéristiques telles que l'absence de filtres coûteux, une faible tension de fonctionnement, une structure entièrement à l'état solide, un petit volume, un poids léger, une forte résistance aux interférences et une large plage de températures de fonctionnement, ce qui en fait une nouvelle génération reconnue de détecteurs UV. Parmi de nombreux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, les matériaux à base d'oxydes de gallium, représentés typiquement par Ga₂O₃, sont devenus ces dernières années un sujet de recherche phare dans les domaines de la microélectronique et de l'optoélectronique en raison de leurs excellentes propriétés électriques et photoélectriques, notamment leurs caractéristiques intrinsèques d'aveuglement au jour, leur résistance à haute température, haute tension et leur bonne stabilité chimique, conférant à ces matériaux un grand potentiel de développement dans le domaine des détecteurs UV aveugles au jour. En ce sens, cet article passe en revue les progrès de la recherche sur les films d'oxydes de gallium de différentes structures cristallines, les oxydes gallates, les oxydes galium-étain, les oxydes galium-aluminium et leurs détecteurs UV aveugles au jour.

aveugle au jour; détecteur UV; Ga₂O₃; oxydes de gallium; oxydes gallates; oxydes ternaires de gallium