Les lasers à semi-conducteurs à barre large sont largement utilisés dans le pompage laser, le traitement laser et d'autres domaines. Pour résoudre le problème du spectre de sortie large et de la faible plage de réglage des lasers à semi-conducteurs à barre large, des réseaux de diffraction réfléchissants avec des efficacités de diffraction de 28 % et 55 % ont été utilisés comme éléments de rétroaction pour construire un laser à semi-conducteur à cavité externe à réseau à longueur d'onde 970 nm. L'influence des paramètres du laser à structure Littrow sur ses performances (plage de réglage, puissance, courant de seuil, largeur de raie) a été étudiée. Les résultats expérimentaux montrent qu'une optimisation structurelle permet d'obtenir une sortie laser réglable à ligne étroite, une augmentation appropriée de la température et l'utilisation de réseaux à diffraction plus efficaces peuvent augmenter la plage de réglage du laser, et des réseaux à diffraction plus élevés peuvent réduire le courant de seuil du laser. Basé sur un mode d'incidence de polarisation S, le laser à cavité externe à réseau peut atteindre une plage de réglage de longueur d'onde maximale de 27,87 nm, une largeur de raie spectrale réduite à 0,2 nm, et une puissance de sortie pouvant atteindre 1,11 W.

Laser semi-conducteur; réseau de diffraction; réglage de longueur d'onde; courant de seuil