Les films de pérovskite CsPbBr3 préparés par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) présentent d'excellentes propriétés optoélectroniques, cependant les films contiennent généralement deux régions de structure de phase différentes, CsPbBr₃ et CsPb₂Br₅. Dans cet article, des films de pérovskite CsPbBr3 ont été préparés par CVD, et l'influence de la pression de gaz réactif et du débit de N₂ sur la structure de phase CsPb₂Br₅ a été étudiée à l'aide de la diffraction des rayons X (XRD), du microscope électronique à balayage (SEM), du spectromètre d'énergie dispersive (EDS) et du spectromètre de fluorescence. Les résultats expérimentaux montrent que la variation de la pression de gaz réactif n'a pas d'effet sur la structure de phase CsPb₂Br₅ ; en revanche, avec la diminution du débit de N₂, une partie de la structure de phase CsPb₂Br₅ dans le film se transforme progressivement en structure de phase CsPbBr₃, et l'émission lumineuse change d'une émission à large bande centrée vers ~630 nm à une émission à bande étroite centrée vers ~530 nm. Les expériences montrent que le débit de N₂ est un moyen efficace pour réguler la structure de phase et les propriétés lumineuses de CsPb₂Br₅.

Dépôt chimique en phase vapeur;Films de pérovskite CsPbBr₃;Structure de phase CsPb₂Br₅