Les pièges profonds dans les matériaux à longue phosphorescence présentent d'excellentes performances de stockage et de libération d'énergie, offrant ainsi un grand avantage dans le domaine du stockage d'informations optiques. Cet article rapporte la synthèse d'un nouveau matériau à longue phosphorescence jaune γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ par méthode solide à haute température. Son spectre d'émission est une émission à bande large centrée à 565 nm, s'étendant de 400 à 800 nm, attribuée à la transition ³P₁→¹S₀ des ions Bi³⁺. Après irradiation par une lampe UV, un phosphorescence jaune lumineuse a été observée pour l'échantillon γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺. L’analyse des spectres thermoluminescents révèle trois pièges principaux dans γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺, avec des profondeurs respectives de 0.678, 0.838 et 0.978 eV. Le piège superficiel de 0.678 eV est la principale raison de la phosphorescence longue durée dans ce matériau, tandis que l’intensité du pic thermoluminescent du piège profond de 0.838 eV ne diminue que de 18.6% après 12 heures, indiquant une libération lente des électrons des pièges profonds. Basé sur les propriétés des pièges profonds du matériau, un motif en forme de lettre a été conçu et des expériences de stockage d’informations optiques ont été menées, montrant que ce matériau a un potentiel d’application dans le stockage de l’information.

stockage d’information; γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺; phosphorescence longue jaune; pièges