Les dispositifs émetteurs de lumière visible basés sur des structures semi-conductrices micro- et nanométriques de faible dimension, en particulier les sources de lumière jaune-vert situées dans la gamme 500 ~ 600 nm, présentent une grande valeur d'application dans les domaines des affichages ultra-haute résolution et de l’éclairage, la détection moléculaire unique et l’imagerie, grâce à leur haute efficacité d’émission, longue durée de vie et faible consommation d’énergie. Toutefois, la fabrication des matériaux d’émission, la structure des dispositifs, ainsi que les problèmes de "Green/yellow gap" et "effet droop" dans les dispositifs émetteurs jaune-vert de faible dimension à haute performance limitent fortement le développement et l’application des dispositifs à base de micro- et nanostructures jaune-vert. Dans cet article, une diode électroluminescente jaune basée sur une jonction hétérostructure construite avec un seul microfilament de ZnO:Ga (oxyde de zinc dopé au gallium) et un substrat p-InGaN est présentée, avec une longueur d’onde de sortie autour de 580 nm et une largeur à mi-hauteur d’environ 50 nm. Avec l’augmentation du courant injecté, la position du pic et la largeur à mi-hauteur du spectre ne changent presque pas, et aucun effet Stark quantique connu dans les sources lumineuses à base d’InGaN n’est observé. Les coordonnées chromatiques correspondantes de l’appareil restent toujours dans le domaine de la couleur jaune. Plus important encore, l’efficacité quantique externe de l’appareil ne diminue pas significativement sous injection de courant élevé. En combinant le spectre de photoluminescence du microfilament unique de ZnO:Ga et d’InGaN, ainsi que la théorie de la structure de bande hétérostructure n-ZnO:Ga/p-InGaN, on peut inférer que l’émission du dispositif provient de la recombinaison radiative des porteurs au niveau de l’interface entre le microfilament ZnO:Ga et la région de jonction InGaN, et que l’effet droop est nettement atténué. Les résultats expérimentaux indiquent que la jonction hétérostructure n-ZnO:Ga microfilament/p-InGaN peut être utilisée pour fabriquer des diodes électroluminescentes jaunes de faible dimension à haute performance et haute luminosité.

diode électroluminescente jaune; microfilament de ZnO dopé au gallium; InGaN; efficacité quantique externe; effet droop