Le matériau In_0.49Ga_0.51P a suscité un large intérêt dans la recherche sur les lasers à courte longueur d’onde à base de GaAs et les lasers sans aluminium, en raison de sa correspondance avec le réseau cristallin du GaAs et de sa grande bande interdite. Les différentes applications nécessitent des performances différentes du matériau In_0.49Ga_0.51P, ce qui entraîne des variations dans le degré d’ordre du matériau et modifie par conséquent ses propriétés d’émission lumineuse. Cet article utilise la technique de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) pour étudier l’impact du degré d’ordre du matériau In_0.49Ga_0.51P sur ses caractéristiques d’émission lumineuse sur un substrat semi-isolant GaAs. Le degré d’ordre du matériau In_0.49Ga_0.51P a été modifié en ajustant le débit des dopants silane (SiH₄) et diéthylzinc (DEZn) ainsi que le ratio V/III. Les résultats des tests de photoluminescence (PL) à température ambiante et basse température montrent qu’une augmentation du débit des deux dopants entraîne une diminution du degré d’ordre du In_0.49Ga_0.51P, provoquant un déplacement vers le bleu de la longueur d’onde d’émission de l’InGaP. De plus, une augmentation du ratio V/III augmente le degré d’ordre du In_0.49Ga_0.51P, provoquant un déplacement vers le rouge de la longueur d’onde d’émission de l’échantillon.

dépôt chimique en phase vapeur organométallique;phosphure d’indium-gallium/arséniure de gallium;photoluminescence;dopage intentionnel