L'optimisation et l'amélioration des matériaux luminescents ont toujours été des sujets de recherche importants dans les domaines concernés. Les défauts du réseau cristallin formés lors du processus de croissance/préparation du cristal sont étroitement liés à la migration des porteurs de charge. Il est possible de contrôler la migration des porteurs en régulant artificiellement les défauts, améliorant ainsi les performances luminescentes, ce qui est d'une grande importance pour le développement et l'application des matériaux luminescents. Des études ont montré que, par le dopage d'ions métalliques de transition ou de terres rares dans une structure tridimensionnelle spécifique, les défauts ponctuels résultant de la substitution d'ions cations inéquivalents peuvent non seulement favoriser efficacement la réduction de l'état de valence des ions activateurs à valence variable, mais aussi coopérer avec les défauts intrinsèques pour former des niveaux pièges fonctionnels, permettant le stockage des porteurs et un équilibre dynamique en réponse à une excitation externe, améliorant ainsi les performances luminescentes des matériaux voire apportant de nouvelles propriétés luminescentes. Cet article passe en revue de manière systématique les mécanismes de couplage interne et les stratégies de régulation entre les défauts ponctuels et les performances luminescentes des échantillons, dans l'espoir d'inspirer le développement et l'exploration futurs de nouveaux matériaux cristallins fonctionnels optoélectroniques.

défauts du réseau; auto-réduction; stabilité thermique; phosphorescence à longue durée; luminescence par contrainte