Amorphe Ga₂O₃-Dünnschichten, die unbeabsichtigt dotiert und in einer H₂/N₂-Atmosphäre reguliert sind, wurden bei Raumtemperatur mittels induktiv gekoppeltem Plasma (ICP)-unterstütztem Magnetronsputtern hergestellt. Die optischen Eigenschaften und das defektbedingte Leuchtverhalten wurden systematisch mittels Röntgendiffraktion, ellipsometrischer Spektroskopie, Absorptionsspektroskopie, Photolumineszenz (PL) und zeitaufgelöster Photolumineszenz (TRPL) untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass alle Proben typische breitbandige Defektleuchtmerkmale aufweisen. ICP-Hilfe und H₂/N₂-Atmosphäre können das Leuchtverhalten amorpher Ga₂O₃-Filme durch Regulierung von Bandrandzuständen und defektbezogenen Rekombinationskanälen beeinflussen. ICP moduliert hauptsächlich die vorhandenen Defektleuchtkanäle und beeinflusst die Absorptionskantenexponentialfalle; die H₂-Atmosphäre moduliert zusätzlich den bläulich-grünen Breitband-Leuchtkanal, wodurch eine hohe thermische Stabilität und eine längere scheinbare Abklingzeit erreicht werden; die N₂-Atmosphäre erhöht signifikant die Urbach-Energie, führt eine niederenergetische Leuchtkomponente von etwa 1,97 eV ein und erhöht die Komplexität der Defektniveauverteilung. Diese Arbeit liefert experimentelle Grundlagen zum Verständnis und zur Steuerung des defektbezogenen Leuchtverhaltens amorpher Ga₂O₃-Filme.

Amorphes Galliumoxid;Defektleuchten;H₂/N₂-Regelung;Photolumineszenz;induktiv gekoppeltes Plasma