Perowskit-Quantenpunkt-Leuchtdioden (Pe QLEDs) sind zu vielversprechenden Kandidaten für die Display-Technologie der nächsten Generation geworden. Ihre Leistung wird jedoch weiterhin durch die Fluoreszenzlöschung der Quantenpunkte (QD) verursacht durch die Elektronentransportschicht (ETL) und die überschüssige Elektroneneinspritzung eingeschränkt. Hier wird eine Interface-Engineering-Strategie vorgeschlagen, bei der TmPPPyTz (2,4,6-Tris(3'-(Pyridin-3-yl)-[1,1'-Biphenyl]-3-yl)-1,3,5-Triazin) zwischen der Leuchtschicht und der Elektronentransportschicht BPBiPA (2-Phenyl-1-(4-(10-(4-(2-Phenyl-3a,7a-dihydro-1H-Benzimidazol-1-yl)Phenyl)Anthracen-9-yl)Phenyl)-1H-Benzimidazol) eingefügt wird. Dies unterdrückt gleichzeitig die Grenzflächenlöschung, reguliert das Ladungsträgergleichgewicht und passiviert die Grenzfläche der Leuchtschicht. Es wurden umfassende optische und elektrische Charakterisierungen durchgeführt, und das optimierte Gerät erreichte eine maximale externe Quanteneffizienz (EQE) von 28,1 % sowie eine 1,7-fach erhöhte Betriebsstabilität. Diese Arbeit bietet eine effektive Methode des Interface-Engineerings zur Realisierung hocheffizienter und stabiler Pe QLEDs.

Perowskit-Quantenpunkt-Leuchtdioden; Interface-Engineering; Fluoreszenzlöschung