Herstellung von NiOx-Nanokristallen mittels thermischer Injektion und deren Anwendung in der Lochinjektionsschicht roter QLEDs

Wu Zhijun ,  

Tang Ting ,  

Li Ruifeng ,  

Han Changfeng ,  

Xiang Chaoyu ,  

Zhang Ting ,  

摘要

NiOx als vielversprechendes anorganisches Lochinjektionsschichtmaterial (HIL) in Quantentropfen-Leuchtdioden (QLED) steht bei den bestehenden Herstellungsmethoden weiterhin vor Herausforderungen wie hohen Kosten und komplizierten Prozessen. In dieser Arbeit wurde mittels thermischer Injektionsmethode ein monodisperser, hochkristalliner NiOx-Nanokristall (durchschnittliche Partikelgröße ~ 5,5 nm) synthetisiert, der die kostengünstigen Vorteile der Lösungsmethode mit dem Verzicht auf Hochtemperaturanwendungen verbindet. Zusätzlich wurde an der Grenzfläche zwischen der NiOx HIL und der Lochtransportschicht eine molekulare Schicht aus (2-(9H-Carbazol-9-yl)ethyl) Phosphonsäure 2PACz eingeführt, die wirksam die Lösungsmittelerosion hemmte und die Oberflächen-Hydroxyldefektkonzentration um 6,3 % verringerte. Basierend auf dieser zusammengesetzten HIL wurde ein roter QLED hergestellt, dessen Einschaltspannung von 6,1 V auf 5,8 V gesenkt wurde, die externe Quanteneffizienz von 5,24 % auf 7,34 % gesteigert und dessen Lebensdauer um 73 % verbessert wurde. Diese Studie bietet einen einfachen und kostengünstigen Ansatz zur Herstellung von NiOx-basierten HIL für vollständig anorganische QLEDs.

关键词

Quantentropfen-Leuchtdioden;thermische Injektion;Nickeloxid;anorganische Lochinjektionsschicht

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