Perowskit-Leuchtdioden (PeLEDs) gelten aufgrund ihrer hervorragenden optoelektronischen Eigenschaften als vielversprechende Kandidaten für die Display-Technologie der nächsten Generation. Trotz signifikanter Verbesserungen der Geräteleistung bleibt die Herstellung hochwertiger Perowskit-Dünnfilme zur Realisierung leistungsstarker PeLEDs eine Herausforderung im Bereich. In dieser Studie wurde durch die Abscheidung einer dünnen LiF-Modifikationsschicht auf der traditionellen organischen Lochtransportschicht die Benetzbarkeit der Lochtransportschicht erheblich verbessert. Optische Tests zeigten, dass die Qualität des auf dieser Schicht hergestellten Perowskitfilms verbessert wurde und der Gehalt an niedrigdimensionalem Perowskit reduziert ist. Gleichzeitig führte die isolierende Eigenschaft von LiF zu einer Verringerung der Injektion von Lochladungen, was zu einer ausgeglicheneren Ladungsträgerinjektion führte. Schließlich stieg die maximale externe Quanteneffizienz des elektrolumineszenten Perowskit-Bauelements von 11,9 % auf 17,1 %, was einer Steigerung von etwa 44 % entspricht.

Perowskit-Leuchtdioden;Schnittstellenmodifikation;Lithiumfluorid;Oberflächenbenetzbarkeit