Mit der Entwicklung intelligenter optoelektronischer Systeme hin zu Multispektralität, Energieeffizienz, Miniaturisierung und Multifunktionalität stoßen herkömmliche optoelektronische Detektoren mit begrenztem spektralem Ansprechbereich an ihre Grenzen bei der Erfüllung fortschrittlicher Detektionsanforderungen. Die Entwicklung leistungsfähiger Breitbandsensoren ist zu einer wichtigen Herausforderung geworden. Zur Überwindung dieser Beschränkung wurde in dieser Studie ein neuartiger Breitbandsensor basierend auf einer Sandwich-Struktur β-Ga₂O₃/Au/MAPbI₃ entworfen und hergestellt. Das Gerät verwendet Gold als Zwischenelektrode, während β-Ga₂O₃ und MAPbI₃ als absorbierende Materialien in der oberen beziehungsweise unteren Schicht dienen und somit eine dreilagige gestapelte Heterostruktur bilden, die eine effiziente Breitbandsensorik vom UV- bis nahen Infrarotbereich (200~800 nm) ermöglicht. Bei einer Vorspannung von 6 V erreicht das Gerät eine Spitzenempfindlichkeit von 0,050 A·W⁻¹ bei 240 nm und 0,059 A·W⁻¹ bei 750 nm, wobei gleichzeitig schnelle Reaktionseigenschaften im Mikrosekundenbereich gezeigt werden. Darüber hinaus verleiht die einzigartige Sandwich-Struktur dem Gerät eine selbstbetriebene Breitbandsensorik, was eine effektive Lösung für die Entwicklung leistungsstarker, energieeffizienter Optoelektronik der nächsten Generation darstellt.

Optoelektronischer Detektor;Sandwich-Struktur;Breitbandsensorik