Mit der Entwicklung intelligenter optoelektronischer Systeme hin zu Multispektralität, Energieeinsparung, Miniaturisierung und Multifunktionalität reicht der begrenzte spektrale Ansprechbereich herkömmlicher optoelektronischer Detektoren nicht aus, um deren fortschrittliche Wahrnehmungsanforderungen zu erfüllen. Die Entwicklung hochleistungsfähiger breitbandspektraler Detektoren ist zu einer wichtigen Herausforderung geworden. Um diese Beschränkung zu überwinden, wurde in dieser Studie ein neuartiger breitbandspektraler Photodetektor auf der Basis der Sandwich-Struktur β-Ga2O3/Au/MAPbI3 entworfen und gefertigt. Das Gerät verwendet Gold als Zwischenelektrode und β-Ga2O3 sowie MAPbI3 als obere bzw. untere lichtabsorbierende Schichten, wodurch eine dreilagige gestapelte Heterojunktion entsteht, die eine effiziente breitbandspektrale Detektion vom UV- bis zum Nahinfrarotbereich (200–800 nm) ermöglicht. Bei einer Vorspannung von 6 V erreicht die Spitzenempfindlichkeit des Geräts bei 240 nm und 750 nm jeweils 0,050 A W-1 und 0,059 A W-1 und zeigt gleichzeitig eine schnelle Ansprechzeit im Mikrosekundenbereich. Darüber hinaus verleiht die einzigartige Sandwich-Struktur dem Gerät eine selbstbetriebene breitbandspektrale Detektionsfähigkeit, was eine effektive Lösung für die Entwicklung leistungsstarker, energieeffizienter Photodetektoren der nächsten Generation darstellt.