Sehr langwelliger Quantenkaskadenlaser basierend auf Doppel-Oberenergieniveau und diagonalem Übergangsdesign

CHEN Jiagang ,  

NIU Shan ,  

SUN Yongqiang ,  

YAO Jinlin ,  

ZHANG Yijing ,  

MA Yuanhao ,  

CHENG Fengmin ,  

ZHAI Shenqiang ,  

JIA Zhiwei ,  

ZHANG Jinchuan ,  

摘要

Es wird ein quantenkaskadenlaser InAlAs/InGaAs/InP mit Gitteranpassung berichtet, der auf einem aktiven Bereichsdesign mit doppeltem oberen Energielevel und diagonalem Übergang basiert. Das Gerät arbeitet im sehr langwelligen Bereich (≥14 µm) und erzielt nicht nur eine hohe Ausgangsleistung, sondern kann auch unter Bedingungen mit hoher Tastverhältnis stabil arbeiten. Im Pulsbetrieb erreicht das Gerät eine maximale Spitzenleistung von 1,5 W und eine einseitige Durchschnittsleistung von 90 mW. Darüber hinaus wird zur weiteren Erweiterung der spektralen Leistung in dieser Arbeit ein auf einem externen Resonator basierender Abstimmungsmechanismus untersucht, der eine kontinuierliche Abstimmungsausgabe im Bereich von 13,18 bis 14,03 µm ermöglicht, wobei in diesem Bereich eine maximale Durchschnittsleistung von 3,43 mW erreicht wird. Diese Eigenschaften zeigen das hohe Anwendungspotenzial des Lasers für Mehrkomponentengas-Sensoren im sehr langwelligen IR-Bereich.

关键词

Quantenkaskadenlaser; sehr langwellig; doppeltes oberes Energieniveau; diagonaler Übergang; breite Abstimmung; hohe Leistung

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